ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM16160D-7BLI
- 收藏
- 对比
IS42RM16160D-7BLI
1266-IS42RM16160D-7BLI
存储器
54-TFBGA
大陆
立即发货

DRAM Chip Mobile SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 54-Pin TFBGA
1最小包装量--
IS42RM16160D-7BLI详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM16160D-7BLI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Copper, Silver, Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
54-TFBGA
引脚数
54
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
54
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
电压 - 供电
2.3V~2.7V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
2.5V
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
引脚数量
54
工作电源电压
2.5V
电源电压-最大值(Vsup)
2.7V
电源电压-最小值(Vsup)
2.3V
内存大小
256Mb 16M x 16
端口的数量
1
电源电流
110mA
访问时间
5.4ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
16b
组织结构
16MX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
地址总线宽度
15b
密度
256 Mb
待机电流-最大值
0.001A
最高频率
143MHz
I/O类型
COMMON
刷新周期
8192
顺序突发长度
1248FP
交错突发长度
1248
长度
13mm
座位高度(最大)
1.2mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IS42RM16160D-7BLI拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc







哦! 它是空的。