IS42S16100H-6TLI-TR备选型号: IS42S16400J-6TL-TR

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  • I/O类型
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  • 顺序突发长度
  • 交错突发长度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II
    6 Weeks
    表面贴装
    50-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tape & Reel (TR)
    活跃
    3 (168 Hours)
    3V~3.6V
    16Mb 1M x 16
    166MHz
    5.5ns
    DRAM
    Parallel
    ROHS3 Compliant
    -
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  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    DRAM 64M (4Mx16) 166MHz SDRAM, 3.3v
    6 Weeks
    表面贴装
    54-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
    Volatile
    0°C~70°C TA
    Tape & Reel (TR)
    活跃
    3 (168 Hours)
    3.3V
    64Mb 4M x 16
    166MHz
    5.4ns
    DRAM
    Parallel
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    54
    100mA
    54
    DUAL
    0.8mm
    16b
    4MX16
    3-STATE
    16
    14b
    64 Mb
    0.002A
    COMMON
    4096
    1248FP
    1248
    无
    无铅
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IS42S16400J-6TL IS42S16400J-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 存储器 54-TSOP (0.400, 10.16mm Width) IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP 对比
IS42S16400J-6TL-TR IS42S16400J-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 存储器 54-TSOP (0.400, 10.16mm Width) DRAM 64M (4Mx16) 166MHz SDRAM, 3.3v 对比