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IS42S16160G-5BL备选型号: IS42S83200G-7BL
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- 终止次数
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- 电压 - 供电
- 端子位置
- 功能数量
- 端子间距
- 资历状况
- 内存大小
- 端口的数量
- 操作模式
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 数据总线宽度
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 地址总线宽度
- 密度
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- I/O类型
- 电压 - 供电 （最大值）
- 电压 - 供电 （最小值）
- 刷新周期
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- 长度
- 座位高度(最大)
- RoHS状态
- 底架
- ECCN 代码
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 200Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS6 Weeks表面贴装54-TFBGAYES54Volatile180mA0°C~70°C TATray活跃3 (168 Hours)54AUTO/SELF REFRESH3.3VBOTTOM10.8mm不合格256Mb 16M x 161SYNCHRONOUS200MHz5nsDRAMParallel16b16MX163-STATE1615b256 Mb0.004ACOMMON3.6V3V81921248FP12488mm1.2mmROHS3 Compliant----- DRAM Chip SDRAM 256M-Bit 32Mx8 3.3V 54-Pin TFBGA8 Weeks表面贴装54-TFBGA-54Volatile130mA0°C~70°C TATray活跃3 (168 Hours)54AUTO/SELF REFRESH3.3VBOTTOM10.8mm不合格256Mb 32M x 81SYNCHRONOUS143MHz5.4nsDRAMParallel8b32MX83-STATE815b256 Mb0.004ACOMMON3.6V3V81921248FP12488mm1.2mmROHS3 Compliant表面贴装EAR99未说明未说明
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS45S16160G-7BLA2 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 54-TFBGA | DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V Automotive 54-Pin TFBGA | 对比 |
| IS42S83200G-7BL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 54-TFBGA | DRAM Chip SDRAM 256M-Bit 32Mx8 3.3V 54-Pin TFBGA | 对比 |
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