IS42S16320D-7BLI备选型号: IS42S16160G-7BLI
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 端口的数量
- 电源电流
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 数据总线宽度
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 刷新周期
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- 座位高度(最大)
- 长度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- DRAM Chip SDRAM 512M-Bit 32Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA6 Weeks54-TFBGA表面贴装表面贴装54Volatile-40°C~85°C TATraye1yes活跃3 (168 Hours)54EAR99Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)AUTO/SELF REFRESH3V~3.6VBOTTOM26013.3V0.8mm10543.3V3.6V3V512Mb 32M x 161160mA143MHz5.4nsDRAMParallel16b32MX163-STATE1615b512 Mb0.004ACOMMON81921248FP12481.2mm13mm无SVHC无ROHS3 Compliant-
- DRAM 256M 16Mx16 143Mhz SDR SDRAM, 3.3V6 Weeks54-TFBGA表面贴装表面贴装54Volatile-40°C~85°C TATraye1-活跃3 (168 Hours)54EAR99Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)AUTO/SELF REFRESH3V~3.6VBOTTOM26013.3V0.8mm10543.3V3.6V3V256Mb 16M x 161130mA143MHz5.4nsDRAMParallel16b16MX163-STATE1615b256 Mb0.004ACOMMON81921248FP12481.2mm8mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS42S16160G-7BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 54-TFBGA | DRAM 256M 16Mx16 143Mhz SDR SDRAM, 3.3V | 对比 | |
| IS42S16400J-7BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 54-TFBGA | DRAM Chip SDRAM 64Mbit 4Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA | 对比 |


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