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IS42S16320D-7TLI-TR备选型号: IS42S16160G-7TLI
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- 包装/外壳
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- 包装
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 功能数量
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 电源
- 内存大小
- 端口的数量
- 操作模式
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 数据总线宽度
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 待机电流-最大值
- 记忆密度
- I/O类型
- 电压 - 供电 （最大值）
- 电压 - 供电 （最小值）
- 刷新周期
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- 长度
- 座位高度(最大)
- RoHS状态
- 触点镀层
- 底架
- Current - Supply (Nom)
- 地址总线宽度
- 密度
- 高度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
DRAM Chip SDRAM 512Mbit 32Mx16 3.3V T/R6 Weeks表面贴装54-TSOP (0.400, 10.16mm Width)YES54Volatile-40°C~85°C TATape & Reel (TR)e3yes活跃3 (168 Hours)54EAR99Matte Tin (Sn)PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH3.3VDUAL26010.8mm10不合格3.3V512Mb 32M x 161SYNCHRONOUS143MHz5.4nsDRAMParallel16b32MX163-STATE160.004A536870912 bitCOMMON3.6V3V81921248FP124822.22mm1.2mmROHS3 Compliant----------- Memory; SDRAM; 4Mx16bitx4; 143MHz; 7ns; TSOP54 II; -40÷85°C; 3.3VDC6 Weeks表面贴装54-TSOP (0.400, 10.16mm Width)-54Volatile-40°C~85°C TATraye3-活跃3 (168 Hours)54EAR99-AUTO/SELF REFRESH3.3VDUAL-10.8mm---256Mb 16M x 161-143MHz5.4nsDRAMParallel16b16MX163-STATE-0.004A-COMMON3.6V3V8192--22.42mm-ROHS3 CompliantTin表面贴装130mA15b256 Mb1.05mm10.29mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS42S16400J-7TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 54-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP | 对比 |
| IS42S16160G-7TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 54-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | Memory; SDRAM; 4Mx16bitx4; 143MHz; 7ns; TSOP54 II; -40÷85°C; 3.3VDC | 对比 |
 | MT48LC16M16A2P-6A:G | Micron Technology Inc. | 存储器 | 54-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II | 对比 |
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