IS42S16400J-5TL-TR备选型号: IS42S16100E-7TL
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 表面安装
- 安装类型
- 引脚数
- 包装
- 操作温度
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 端子间距
- 最大电流源
- 资历状况
- 电源
- 内存大小
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 数据总线宽度
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 待机电流-最大值
- 记忆密度
- I/O类型
- 刷新周期
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- RoHS状态
- 底架
- 触点镀层
- Current - Supply (Nom)
- JESD-609代码
- 无铅代码
- ECCN 代码
- 附加功能
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 端口的数量
- 地址总线宽度
- 密度
- 电压 - 供电 (最大值)
- 电压 - 供电 (最小值)
- 座位高度(最大)
- 长度
- 辐射硬化
- DRAM Chip SDRAM 64Mbit 4Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II T/R6 Weeks54-TSOP (0.400, 10.16mm Width)YES表面贴装54VolatileTape & Reel (TR)0°C~70°C TA活跃3 (168 Hours)543.3VDUAL0.8mm110mA不合格3.3V64Mb 4M x 16200MHz4.8nsDRAMParallel16b4MX163-STATE160.002A67108864 bitCOMMON40961248FP1248ROHS3 Compliant------------------
- IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II-50-TSOP (0.400, 10.16mm Width)-表面贴装50VolatileTray0°C~70°C TAObsolete3 (168 Hours)503V~3.6VDUAL0.8mm---16Mb 1M x 16143MHz5.5nsDRAMParallel16b1MX163-STATE160.002A-COMMON20481248FP1248符合RoHS标准表面贴装Tin130mAe3yesEAR99AUTO/SELF REFRESH260140112b16 Mb3.6V3V1.2mm20.95mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS42S16100E-7TL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 50-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II | 对比 | |
| IS42S81600F-7TL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 54-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | DRAM 128M 16Mx8 143Mhz SDR SDRAM, 3.3V | 对比 |


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