IS42S16400J-7BL备选型号: IS42S16800F-6BL
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 引脚数量
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 端口的数量
- 电源电流
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 数据总线宽度
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 地址总线宽度
- 密度
- I/O类型
- 刷新周期
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- 反向引脚排列
- 自我刷新
- 长度
- 座位高度(最大)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 表面安装
- 资历状况
- 电源
- 操作模式
- 待机电流-最大值
- 记忆密度
- DRAM Chip SDRAM 64Mbit 4Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA6 Weeks表面贴装表面贴装54-TFBGA54Volatile0°C~70°C TATray活跃3 (168 Hours)54EAR99AUTO/SELF REFRESH3V~3.6VBOTTOM13.3V0.8mm543.3V3.6V3V64Mb 4M x 16190mA143MHz5.4nsDRAMParallel16b4MX163-STATE1614b64 MbCOMMON40961248FP1248NOYES8mm1.2mm无ROHS3 Compliant无铅------
- DRAM 128M 8Mx16 166Mhz SDR SDRAM, 3.3V6 Weeks-表面贴装54-TFBGA54Volatile0°C~70°C TATray活跃3 (168 Hours)54EAR99AUTO/SELF REFRESH3V~3.6VBOTTOM13.3V0.8mm54-3.6V3V128Mb 8M x 161-166MHz5.4nsDRAMParallel16b8MX163-STATE16--COMMON40961248FP1248--8mm1.2mm-ROHS3 Compliant-YES不合格3.3VSYNCHRONOUS0.002A134217728 bit
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS42S16800F-7BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 54-TFBGA | 128M, 3.3V, SDRAM, 8MX16, 143M | 对比 | |
| IS42S16800F-6BL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 54-TFBGA | DRAM 128M 8Mx16 166Mhz SDR SDRAM, 3.3V | 对比 | |
| CY7C10212DV33-10BVXI | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 48-TFBGA | IC SRAM 1M PARALLEL 48TFBGA | 对比 |


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