IS42S16800F-7BL备选型号: S29GL128P10FFI010
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 引脚数量
- 资历状况
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 端口的数量
- 电源电流
- 操作模式
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 数据总线宽度
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 刷新周期
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- 长度
- 座位高度(最大)
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 已出版
- 系列
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 电源
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 访问时间(最大)
- 同步/异步
- 编程电压
- 备用内存宽度
- 数据轮询
- 拨动位
- 命令用户界面
- 扇区/尺寸数
- 行业规模
- 页面尺寸
- 准备就绪/忙碌
- 通用闪存接口
- 辐射硬化
- 达到SVHC
- DRAM Chip SDRAM 128M-Bit 8Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA6 Weeks表面贴装表面贴装54-TFBGA54Volatile0°C~70°C TATray活跃3 (168 Hours)54EAR99AUTO/SELF REFRESH3V~3.6VBOTTOM13.3V0.8mm54不合格3.3V3.6V3V128Mb 8M x 161100mASYNCHRONOUS143MHz5.4nsDRAMParallel16b8MX163-STATE1614b128 Mb0.002ACOMMON40961248FP12488mm1.2mmROHS3 Compliant无铅------------------------
- IC FLASH 128MBIT 100NS 64FBGA12 Weeks表面贴装表面贴装64-LBGA64Non-Volatile-40°C~85°C TATray活跃3 (168 Hours)643A991.B.1.A-2.7V~3.6VBOTTOM13V1mm---3.6V2.7V128Mb 16M x 8-110mA---FLASHParallel8b128MX1-1-128 Mb0.000005A----13mm1.4mmROHS3 Compliant无铅Copper, Silver, Tin2012GL-Pe1Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)8542.32.00.51260403/3.3V100ns100 nsAsynchronous3V8YESYESYES128128K8/16wordsYESYES无无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| CY62147EV30LL-45BVXI | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 48-VFBGA | IC, SRAM, 4MBIT, PARALLEL, 45NS, BGA-48 | 对比 | |
| S29GL128P10FFI010 | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 64-LBGA | IC FLASH 128MBIT 100NS 64FBGA | 对比 | |
![]() | N02L63W3AB25I | ON Semiconductor | 存储器 | 48-LFBGA | IC SRAM 2M PARALLEL 48BGA | 对比 |



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