IS42S16800F-7TL备选型号: MT46V64M8TG-5B:J
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- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 端口的数量
- 电源电流
- 操作模式
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 数据总线宽度
- 组织结构
- 输出特性
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 刷新周期
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 表面安装
- 已出版
- HTS代码
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 最高频率
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- 座位高度(最大)
- 辐射硬化
- 无铅
- IC SDRAM 128MBIT 143MHZ 54TSOP6 Weeks表面贴装表面贴装54-TSOP (0.400, 10.16mm Width)54Volatile0°C~70°C TATraye3yes活跃3 (168 Hours)54EAR99Matte Tin (Sn)AUTO/SELF REFRESH3V~3.6VDUAL26013.3V0.8mm1054不合格3.3V3.6V3V128Mb 8M x 161100mASYNCHRONOUS143MHz5.4nsDRAMParallel16b8MX163-STATE14b128 Mb0.002ACOMMON40961.05mm22.42mm10.29mmROHS3 Compliant-----------
- DRAM Chip DDR SDRAM 512M-Bit 64Mx8 2.6V 66-Pin TSOP--表面贴装66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width)66Volatile0°C~70°C TABulk--Obsolete3 (168 Hours)66EAR99-AUTO/SELF REFRESH2.5V~2.7VDUAL-12.6V0.65mm-66-2.6V2.7V2.5V512Mb 64M x 81--200MHz700psDRAMParallel8b64MX83-STATE15b512 Mb0.005ACOMMON8192-22.22mm-Non-RoHS CompliantYES20118542.32.00.28815ns400MHz2482481.2mm无含铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS43R16160D-5TL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width) | DRAM 256M (16Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM | 对比 | |
| IS43R16160D-6TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width) | DRAM 256M (16Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM | 对比 |



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