Micron Technology Inc. MT46V64M8TG-5B:J
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MT46V64M8TG-5B:J
1616-MT46V64M8TG-5B:J
存储器
66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width)
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DRAM Chip DDR SDRAM 512M-Bit 64Mx8 2.6V 66-Pin TSOP
1最小包装量--
MT46V64M8TG-5B:J详情
Micron Technology Inc. MT46V64M8TG-5B:J重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width)
表面安装
YES
安装类型
表面贴装
引脚数
66
Memory Types
Volatile
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Bulk
已出版
2011
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
66
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.28
电压 - 供电
2.6V
端子位置
DUAL
功能数量
1
端子间距
0.65mm
内存大小
512Mb 64M x 8
端口的数量
1
时钟频率
200MHz
访问时间
700ps
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
8b
组织结构
64MX8
输出特性
3-STATE
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
地址总线宽度
15b
密度
512 Mb
待机电流-最大值
0.005A
最高频率
400MHz
I/O类型
COMMON
电压 - 供电 (最大值)
2.7V
电压 - 供电 (最小值)
2.5V
刷新周期
8192
顺序突发长度
248
交错突发长度
248
座位高度(最大)
1.2mm
长度
22.22mm
辐射硬化
无
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
含铅
MT46V64M8TG-5B:J拓展信息
Micron Technology Inc.
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