IS42S32160D-7BL备选型号: IS42S32400F-7BL
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- HTS代码
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 引脚数量
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 端口的数量
- 电源电流
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 数据总线宽度
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 刷新周期
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- 长度
- 座位高度(最大)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- DRAM 512M 16Mx32 133Mhz SDR SDRAM, 3.3V8 Weeks表面贴装表面贴装90-TFBGA90Volatile0°C~70°C TATray活跃3 (168 Hours)90EAR99AUTO/SELF REFRESH8542.32.00.283V~3.6VBOTTOM13.3V0.8mm903.3V3.6V3V512Mb 16M x 321230mA143MHz5.4nsDRAMParallel32b16MX323-STATE3215b512 Mb0.004ACOMMON81921248FP124813mm1.2mm无ROHS3 Compliant
- DRAM Chip SDRAM 128M-Bit 4Mx32 3.3V 90-Pin WBGA8 Weeks表面贴装表面贴装90-TFBGA90Volatile0°C~70°C TATray活跃3 (168 Hours)90EAR99AUTO/SELF REFRESH8542.32.00.023V~3.6VBOTTOM13.3V0.8mm903.3V3.6V3V128Mb 4M x 321100mA143MHz5.4nsDRAMParallel32b4MX323-STATE3214b128 Mb0.002ACOMMON40961248FP124813mm1.2mm无ROHS3 Compliant
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS42S32400F-7BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 90-TFBGA | DRAM Chip SDRAM 128M-Bit 4Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA | 对比 | |
| IS42S32400F-7BL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 90-TFBGA | DRAM Chip SDRAM 128M-Bit 4Mx32 3.3V 90-Pin WBGA | 对比 |


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