IS42S32160F-6BLI-TR备选型号: IS42S16320F-6BL
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 操作温度
- 包装
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 端口的数量
- 操作模式
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 内存宽度
- 记忆密度
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- RoHS状态
- ECCN 代码
- HTS代码
- 资历状况
- 电源
- 输出特性
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 刷新周期
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA8 Weeks表面贴装90-TFBGAYESVolatile-40°C~85°C TATape & Reel (TR)yes活跃3 (168 Hours)90AUTO/SELF REFRESH3V~3.6VBOTTOM未说明13.3V0.8mm未说明R-PBGA-B903.6V3V512Mb 16M x 321SYNCHRONOUS167MHz5.4nsDRAMParallel16MX3232536870912 bit13mm1.2mm8mmROHS3 Compliant----------
- IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA6 Weeks表面贴装54-TFBGAYESVolatile0°C~70°C TATray-活跃3 (168 Hours)54PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH3V~3.6VBOTTOM-13.3V0.8mm-R-PBGA-B543.6V3V512Mb 32M x 161SYNCHRONOUS167MHz5.4nsDRAMParallel32MX1616536870912 bit13mm1.2mm8mmROHS3 CompliantEAR998542.32.00.28不合格3.3V3-STATE0.004ACOMMON81921248FP1248
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS46R16160F-6BLA2 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 60-TFBGA | IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA | 对比 | |
| IS42S16320F-6BL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 54-TFBGA | IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA | 对比 |


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