IS42VM16320E-75BLI备选型号: IS43R16320D-6BL
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 端口的数量
- 电源电流
- 操作模式
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 内存宽度
- 地址总线宽度
- 密度
- 长度
- 座位高度(最大)
- RoHS状态
- JESD-609代码
- 无铅代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 数据总线宽度
- 输出特性
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 页面尺寸
- 刷新周期
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- 达到SVHC
- DRAM Chip Mobile SDRAM 512M-Bit 32Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA12 Weeks表面贴装表面贴装54-TFBGA54Volatile-40°C~85°C TATray活跃3 (168 Hours)54AUTO/SELF REFRESH1.7V~1.95VBOTTOM13.3V0.8mm3.3V3.6V2.7V512Mb 32M x 161100mASYNCHRONOUS133MHz6nsDRAMParallel32MX161615b512 Mb8mm1.2mmROHS3 Compliant-------------------
- INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43R16320D-6BL - SDRAM DDR 32M X 16 2.5V 60BGA8 Weeks表面贴装表面贴装60-TFBGA60Volatile0°C~70°C TATray活跃3 (168 Hours)60AUTO/SELF REFRESH2.3V~2.7VBOTTOM12.5V1mm2.5V2.7V2.3V512Mb 32M x 161370mASYNCHRONOUS166MHz700psDRAMParallel32MX161615b512 Mb13mm1.2mmROHS3 Compliante1yesEAR99锡银铜8542.32.00.282604060不合格16b3-STATE15ns0.025ACOMMON64MB8192248248无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS42S16320D-6BL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 54-TFBGA | DRAM Chip SDRAM 512M-Bit 32Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA | 对比 | |
| IS42S16320D-7BL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 54-TFBGA | DRAM Chip SDRAM 512M-Bit 32Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA | 对比 |


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