IS42VM16400M-75BLI-TR备选型号: IS42S16800F-6BLI
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电压 - 供电
- 内存大小
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- RoHS状态
- 底架
- 引脚数
- Current - Supply (Nom)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 功能数量
- 端子间距
- 资历状况
- 端口的数量
- 操作模式
- 数据总线宽度
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 电压 - 供电 (最大值)
- 电压 - 供电 (最小值)
- 刷新周期
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- 长度
- 座位高度(最大)
- 无铅
- IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA12 Weeks表面贴装54-TFBGAVolatile-40°C~85°C TATape & Reel (TR)活跃3 (168 Hours)1.7V~1.95V64Mb 4M x 16133MHz6nsDRAMParallelROHS3 Compliant----------------------------
- DRAM 128M 8Mx16 166Mhz SDR SDRAM, 3.3V6 Weeks表面贴装54-TFBGAVolatile-40°C~85°C TATray活跃3 (168 Hours)3.3V128Mb 8M x 16166MHz5.4nsDRAMParallelROHS3 Compliant表面贴装54120mA54EAR99AUTO/SELF REFRESHBOTTOM10.8mm不合格1SYNCHRONOUS16b8MX163-STATE1614b128 Mb0.002ACOMMON3.6V3V40961248FP12488mm1.2mm无铅
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS42S16800F-6BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 54-TFBGA | DRAM 128M 8Mx16 166Mhz SDR SDRAM, 3.3V | 对比 | |
| IS42SM16800H-75BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 54-TFBGA | IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA | 对比 |


哦! 它是空的。