IS43DR16160B-25DBL备选型号: IS43DR16640B-3DBL
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- HTS代码
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 端口的数量
- 操作模式
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 数据总线宽度
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 刷新周期
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- 长度
- 座位高度(最大)
- RoHS状态
- 底架
- 工作电源电压
- 电源电流
- 地址总线宽度
- 密度
- DRAM 256Mb, 1.8V, 400MHz 16Mx16 DDR2 SDRAM8 Weeks表面贴装84-TFBGAYES84Volatile0°C~70°C TATraye1活跃3 (168 Hours)84EAR99锡银铜AUTO/SELF REFRESH8542.32.00.241.7V~1.9VBOTTOM26011.8V0.8mm10不合格1.9V1.8V1.7V256Mb 16M x 161SYNCHRONOUS400MHz400psDRAMParallel16b16MX163-STATE1615ns0.025ACOMMON8192484812.5mm1.2mmROHS3 Compliant-----
- DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 64M X 16 1.8V 84-Pin TWBGA Tray8 Weeks表面贴装84-TFBGA-84Volatile0°C~70°C TATray-活跃3 (168 Hours)84EAR99-AUTO/SELF REFRESH8542.32.00.321.7V~1.9VBOTTOM-11.8V0.8mm-不合格1.9V-1.7V1Gb 64M x 161SYNCHRONOUS333MHz450psDRAMParallel16b64MX163-STATE1615ns0.015ACOMMON8192484812.5mm1.2mmROHS3 Compliant表面贴装1.8V220mA16b1 Gb
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS43DR16320C-3DBL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 84-TFBGA | DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 84-Pin TW-BGA | 对比 | |
![]() | CYDM064B16-55BVXI | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 100-VFBGA | IC SRAM 64K PARALLEL 100VFBGA | 对比 |
| IS43DR16640B-3DBL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 84-TFBGA | DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 64M X 16 1.8V 84-Pin TWBGA Tray | 对比 |



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