IS43DR16640C-3DBLI备选型号: IS46DR16640B-3DBLA1
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 端口的数量
- 操作模式
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 数据总线宽度
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- 最高频率
- I/O类型
- 刷新周期
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- 长度
- 座位高度(最大)
- RoHS状态
- 无铅
- HTS代码
- 电源电流
- 时钟频率
- 筛选水平
- 辐射硬化
- IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA8 WeeksCopper, Silver, Tin表面贴装表面贴装84-TFBGA84Volatile-40°C~85°C TATraye1活跃3 (168 Hours)84EAR99锡银铜AUTO/SELF REFRESH1.7V~1.9VBOTTOM26011.8V0.8mm10不合格1.8V1.9V1.7V1Gb 64M x 161SYNCHRONOUS450psDRAMParallel16b64MX163-STATE1615ns13b1 Gb0.025A333MHzCOMMON8192484812.5mm1.2mmROHS3 Compliant无铅-----
- DRAM 1G (64Mx16) 333MHz 1.8v DDR2 SDRAM8 Weeks-表面贴装表面贴装84-TFBGA84Volatile-40°C~85°C TATray-活跃3 (168 Hours)84EAR99-AUTO/SELF REFRESH1.7V~1.9VBOTTOM-11.8V0.8mm--1.8V1.9V1.7V1Gb 64M x 161-450psDRAMParallel16b64MX163-STATE1615ns16b1 Gb0.015A-COMMON8192484812.5mm1.2mmROHS3 Compliant无铅8542.32.00.32220mA333MHzAEC-Q100无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MT47H64M16NF-25E:M | Micron Technology Inc. | 存储器 | 84-TFBGA | IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA | 对比 |



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