Micron Technology Inc. MT47H64M16NF-25E:M
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MT47H64M16NF-25E:M
1616-MT47H64M16NF-25E:M
存储器
84-TFBGA
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IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA
--最小包装量--
MT47H64M16NF-25E:M详情
Micron Technology Inc. MT47H64M16NF-25E:M重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
触点镀层
Copper, Silver, Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
84-TFBGA
引脚数
84
Memory Types
Volatile
Usage Level
Commercial grade
操作温度
0°C~85°C TC
包装
Tray
已出版
2013
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
84
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
附加功能
自我更新
HTS代码
8542.32.00.32
电压 - 供电
1.7V~1.9V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
MT47H64M16
引脚数量
84
工作电源电压
1.8V
电源电压-最大值(Vsup)
1.9V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
1Gb 64M x 16
端口的数量
1
时钟频率
400MHz
访问时间
400ps
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
16b
组织结构
64MX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
地址总线宽度
16b
密度
1 Gb
I/O类型
COMMON
刷新周期
8192
顺序突发长度
48
交错突发长度
48
高度
1.2mm
长度
12.5mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MT47H64M16NF-25E:M拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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