IS43LR16320B-6BL备选型号: IS46LR16320C-6BLA2
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- HTS代码
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 端口的数量
- 电源电流
- 操作模式
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 数据总线宽度
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 刷新周期
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- 长度
- 座位高度(最大)
- RoHS状态
- 最大电源电流
- 筛选水平
- DRAM Chip DDR SDRAM 512M-Bit 32Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA14 Weeks表面贴装表面贴装60-TFBGA60Volatile0°C~70°C TATraye1yes活跃3 (168 Hours)60EAR99锡银铜AUTO/SELF REFRESH8542.32.00.281.7V~1.95VBOTTOM26011.8V0.8mm4060不合格1.8V1.95V1.7V512Mb 32M x 161110mASYNCHRONOUS166MHz5.5nsDRAMParallel16b32MX163-STATE1612ns15b512 Mb0.00001ACOMMON8192248162481610mm1.1mmROHS3 Compliant--
- DRAM 512M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR SDRAM14 Weeks表面贴装表面贴装60-TFBGA60Volatile-40°C~105°C TATray--活跃3 (168 Hours)60--AUTO/SELF REFRESH-1.7V~1.95VBOTTOM-11.8V0.8mm--不合格1.8V1.95V1.7V512Mb 32M x 161110mASYNCHRONOUS166MHz5.5nsDRAMParallel16b32MX163-STATE1615ns15b512 Mb0.0003ACOMMON8192248162481610mm1.1mmROHS3 Compliant60mAAEC-Q100
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS46LR16320C-6BLA2 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 60-TFBGA | DRAM 512M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR SDRAM | 对比 | |
| IS46LR16320B-6BLA2 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 60-TFBGA | DRAM 512M (32Mx16) 1.8v Mobile DDR SDRAM | 对比 |


哦! 它是空的。