您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IS43LR16640A-6BLI vs MT47H128M8SH-25E:M

IS43LR16640A-6BLI备选型号: MT47H128M8SH-25E:M

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 工作电源电压
  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • 电源电压-最小值(Vsup)
  • 内存大小
  • 端口的数量
  • 电源电流
  • 操作模式
  • 时钟频率
  • 访问时间
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 数据总线宽度
  • 组织结构
  • 输出特性
  • 内存宽度
  • 写入周期时间 - 字符、页面
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 待机电流-最大值
  • I/O类型
  • 刷新周期
  • 顺序突发长度
  • 交错突发长度
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • RoHS状态
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 最高频率
  • 辐射硬化
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS43LR16640A-6BLI
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    DRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 1G-Bit 64Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA
    14 Weeks
    Copper, Silver, Tin
    表面贴装
    表面贴装
    60-TFBGA
    60
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    活跃
    3 (168 Hours)
    60
    EAR99
    AUTO/SELF REFRESH
    8542.32.00.32
    1.7V~1.95V
    BOTTOM
    1
    1.8V
    0.8mm
    60
    不合格
    1.8V
    1.95V
    1.7V
    1Gb 64M x 16
    1
    85mA
    SYNCHRONOUS
    166MHz
    5ns
    DRAM
    Parallel
    16b
    64MX16
    3-STATE
    16
    15ns
    14b
    1 Gb
    0.005A
    COMMON
    8192
    248
    248
    10mm
    1.1mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Micron Technology Inc.
    MT47H128M8SH-25E:M
    Micron Technology Inc.
    IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
    13 Weeks
    Copper, Silver, Tin
    表面贴装
    表面贴装
    60-TFBGA
    60
    Volatile
    0°C~85°C TC
    Tray
    活跃
    3 (168 Hours)
    60
    EAR99
    AUTO/SELF REFRESH
    8542.32.00.32
    1.7V~1.9V
    BOTTOM
    1
    1.8V
    0.8mm
    60
    -
    1.8V
    1.9V
    1.7V
    1Gb 128M x 8
    1
    -
    -
    -
    400ps
    DRAM
    Parallel
    8b
    128MX8
    3-STATE
    8
    15ns
    14b
    1 Gb
    -
    COMMON
    8192
    48
    48
    10mm
    1.2mm
    ROHS3 Compliant
    2014
    e1
    yes
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    260
    30
    MT47H128M8
    400MHz
    无
  • 添加型号
集成电路（IC）相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IS43LR16800G-6BLI IS43LR16800G-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 存储器 60-TFBGA IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA 对比