Micron Technology Inc. MT47H128M8SH-25E:M
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MT47H128M8SH-25E:M
1616-MT47H128M8SH-25E:M
存储器
60-TFBGA
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IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
--最小包装量--
MT47H128M8SH-25E:M详情
Micron Technology Inc. MT47H128M8SH-25E:M重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
13 Weeks
触点镀层
Copper, Silver, Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
60-TFBGA
引脚数
60
Memory Types
Volatile
Usage Level
Commercial grade
操作温度
0°C~85°C TC
包装
Tray
已出版
2014
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
60
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.32
电压 - 供电
1.8V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
MT47H128M8
内存大小
1Gb 128M x 8
端口的数量
1
访问时间
400ps
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
8b
组织结构
128MX8
输出特性
3-STATE
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
地址总线宽度
14b
密度
1 Gb
最高频率
400MHz
I/O类型
COMMON
电压 - 供电 (最大值)
1.9V
电压 - 供电 (最小值)
1.7V
刷新周期
8192
顺序突发长度
48
交错突发长度
48
长度
10mm
座位高度(最大)
1.2mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MT47H128M8SH-25E:M拓展信息
Micron Technology Inc.
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