IS43R32160D-5BLI备选型号: IS43R32800D-5BLI
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- 工厂交货时间
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- 包装
- JESD-609代码
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- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- HTS代码
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 电源
- 内存大小
- 端口的数量
- 操作模式
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 数据总线宽度
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 待机电流-最大值
- 记忆密度
- I/O类型
- 电压 - 供电 (最大值)
- 电压 - 供电 (最小值)
- 刷新周期
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- 长度
- 座位高度(最大)
- RoHS状态
- 底架
- Current - Supply (Nom)
- 地址总线宽度
- 密度
- 辐射硬化
- DRAM 512Mb, 2.5V, 200MHz 16Mx32 DDR SDRAM8 Weeks表面贴装144-LFBGAYES144Volatile-40°C~85°C TATraye1yes活跃3 (168 Hours)144EAR99锡银铜AUTO/SELF REFRESH8542.32.00.282.6VBOTTOM26010.8mm40不合格2.6V512Mb 16M x 321SYNCHRONOUS200MHz700psDRAMParallel32b16MX323-STATE3215ns0.025A536870912 bitCOMMON2.7V2.5V819224824812mm1.4mmROHS3 Compliant-----
- DRAM 256M (16Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM8 Weeks表面贴装144-LFBGA-144Volatile-40°C~85°C TATray--活跃3 (168 Hours)144EAR99-AUTO/SELF REFRESH8542.32.00.242.5VBOTTOM-10.8mm---256Mb 8M x 321-200MHz700psDRAMParallel32b8MX323-STATE3215ns0.005A-COMMON2.7V2.3V409624824812mm1.4mmROHS3 Compliant表面贴装480mA14b256 Mb无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS43R32400E-5BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 144-LFBGA | DRAM 128M (4Mx32) 200MHz 2.5v DDR SDRAM | 对比 | |
![]() | 71V35761SA200BQG | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | FBGA | SRAM Chip Sync Single 3.3V 4.5M-Bit 128K x 36 3.1ns 165-Pin FBGA | 对比 |
| IS43R32800D-5BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 144-LFBGA | DRAM 256M (16Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM | 对比 |



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