IS43R32400E-4BL备选型号: IS43R32800D-6BL
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 端口的数量
- 操作模式
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 数据总线宽度
- 组织结构
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 记忆密度
- 长度
- 座位高度(最大)
- RoHS状态
- ECCN 代码
- HTS代码
- 引脚数量
- 资历状况
- 工作电源电压
- 输出特性
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 刷新周期
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- DRAM 128M (4Mx32) 250MHz 2.5v DDR SDRAM8 Weeks表面贴装144-LFBGAYES144Volatile0°C~70°C TATray活跃3 (168 Hours)144AUTO/SELF REFRESH2.4V~2.6VBOTTOM26012.5V0.8mm未说明2.6V2.4V128Mb 4M x 321SYNCHRONOUS250MHz700psDRAMParallel32b4MX323216ns134217728 bit12mm1.4mmROHS3 Compliant-------------
- DRAM 256M 2.5V DDR 16Mx16 166Mhz DDR SDRAM8 Weeks表面贴装144-LFBGAYES144Volatile0°C~70°C TATray活跃3 (168 Hours)144AUTO/SELF REFRESH2.3V~2.7VBOTTOM-12.5V0.8mm-2.7V2.3V256Mb 8M x 321SYNCHRONOUS166MHz700psDRAMParallel32b8MX323215ns-12mm1.4mmROHS3 CompliantEAR998542.32.00.24144不合格2.5V3-STATE13b256 Mb0.3ACOMMON4096248248
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS43R32800D-5BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 144-LFBGA | DRAM 256M (16Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM | 对比 | |
| IS61NLP25636A-200B3I | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 165-TFBGA | IC SRAM 9M PARALLEL 165TFBGA | 对比 | |
![]() | 71V35761SA183BQG | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | FBGA | SRAM Chip Sync Single 3.3V 4.5M-Bit 128K x 36 3.3ns 165-Pin FBGA | 对比 |



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