IS43R32800D-6BL备选型号: CY7C1354CV25-166BZCT
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- 刷新周期
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- 长度
- 座位高度(最大)
- RoHS状态
- 底架
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 电源电流
- 同步/异步
- 字长
- 待机电压-最小值
- 辐射硬化
- 无铅
- DRAM 256M 2.5V DDR 16Mx16 166Mhz DDR SDRAM8 Weeks表面贴装144-LFBGAYES144Volatile0°C~70°C TATray活跃3 (168 Hours)144EAR99AUTO/SELF REFRESH8542.32.00.242.3V~2.7VBOTTOM12.5V0.8mm144不合格2.5V2.7V2.3V256Mb 8M x 321SYNCHRONOUS166MHz700psDRAMParallel32b8MX323-STATE3215ns13b256 Mb0.3ACOMMON409624824812mm1.4mmROHS3 Compliant---------------
- IC SRAM 9MBIT 166MHZ 165FBGA6 Weeks表面贴装165-LBGA-165Volatile0°C~70°C TATape & Reel (TR)活跃3 (168 Hours)1653A991.B.2.A流水线结构-2.375V~2.625VBOTTOM12.5V1mm--2.5V2.625V2.375V9Mb 256K x 364-166MHz3.5nsSRAMParallel-256KX363-STATE36-18b9 Mb-COMMON---15mm-Non-RoHS Compliant表面贴装NoBL™2004e0noTin/Lead (Sn/Pb)23520CY7C1354180mASynchronous36b2.38V无含铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS43R32400E-5BL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 144-LFBGA | DRAM 128M (4Mx32) 200MHz 2.5v DDR SDRAM | 对比 | |
| IS43R32400E-5BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 144-LFBGA | DRAM 128M (4Mx32) 200MHz 2.5v DDR SDRAM | 对比 | |
| CY7C1354CV25-166BZCT | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 165-LBGA | IC SRAM 9MBIT 166MHZ 165FBGA | 对比 |


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