IS43R32800D-6BL备选型号: CY7C1354CV25-166BZCT

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  • RoHS状态
  • 底架
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 电源电流
  • 同步/异步
  • 字长
  • 待机电压-最小值
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    DRAM 256M 2.5V DDR 16Mx16 166Mhz DDR SDRAM
    8 Weeks
    表面贴装
    144-LFBGA
    YES
    144
    Volatile
    0°C~70°C TA
    Tray
    活跃
    3 (168 Hours)
    144
    EAR99
    AUTO/SELF REFRESH
    8542.32.00.24
    2.3V~2.7V
    BOTTOM
    1
    2.5V
    0.8mm
    144
    不合格
    2.5V
    2.7V
    2.3V
    256Mb 8M x 32
    1
    SYNCHRONOUS
    166MHz
    700ps
    DRAM
    Parallel
    32b
    8MX32
    3-STATE
    32
    15ns
    13b
    256 Mb
    0.3A
    COMMON
    4096
    248
    248
    12mm
    1.4mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Cypress Semiconductor Corp
    IC SRAM 9MBIT 166MHZ 165FBGA
    6 Weeks
    表面贴装
    165-LBGA
    -
    165
    Volatile
    0°C~70°C TA
    Tape & Reel (TR)
    活跃
    3 (168 Hours)
    165
    3A991.B.2.A
    流水线结构
    -
    2.375V~2.625V
    BOTTOM
    1
    2.5V
    1mm
    -
    -
    2.5V
    2.625V
    2.375V
    9Mb 256K x 36
    4
    -
    166MHz
    3.5ns
    SRAM
    Parallel
    -
    256KX36
    3-STATE
    36
    -
    18b
    9 Mb
    -
    COMMON
    -
    -
    -
    15mm
    -
    Non-RoHS Compliant
    表面贴装
    NoBL™
    2004
    e0
    no
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    235
    20
    CY7C1354
    180mA
    Synchronous
    36b
    2.38V
    含铅
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