IS43TR16128AL-125KBL备选型号: IS43LR32640A-5BLI
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- Current - Supply (Nom)
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 功能数量
- 端子间距
- 资历状况
- 内存大小
- 端口的数量
- 操作模式
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 数据总线宽度
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- 最高频率
- I/O类型
- 电压 - 供电 (最大值)
- 电压 - 供电 (最小值)
- 刷新周期
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- 长度
- 座位高度(最大)
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- ECCN 代码
- HTS代码
- 时钟频率
- DRAM 2G 1.35V (128M x 16) DDR3 SDRAM表面贴装表面贴装96-TFBGA96Volatile155mA0°C~95°C TCTrayDiscontinued3 (168 Hours)96PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH1.35VBOTTOM10.8mm不合格2Gb 128M x 161SYNCHRONOUS20nsDRAMParallel16b128MX163-STATE1615ns17b2 Gb0.02A800MHzCOMMON1.45V1.283V8192484813mm1.2mmROHS3 Compliant-----
- DRAM Chip Mobile DDR SDRAM 2G-Bit 64Mx32 1.8V 90-Pin WBGA表面贴装表面贴装90-LFBGA90Volatile--40°C~85°C TATray活跃3 (168 Hours)90AUTO/SELF REFRESH1.8VBOTTOM10.8mm不合格2Gb 64M x 321SYNCHRONOUS5nsDRAMParallel32b64MX323-STATE3215ns14b2 Gb0.00002A-COMMON1.95V1.7V819224824813mm1.4mmROHS3 Compliant14 WeeksCopper, Silver, TinEAR998542.32.00.36200MHz
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CY7C1024DV33-10BGXIT | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 119-BGA | IC SRAM 3M PARALLEL 119PBGA | 对比 |
| IS43LR32640A-5BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 90-LFBGA | DRAM Chip Mobile DDR SDRAM 2G-Bit 64Mx32 1.8V 90-Pin WBGA | 对比 | |
![]() | CY7C1024DV33-10BGXI | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 119-BGA | IC SRAM 3M PARALLEL 119PBGA | 对比 |



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