IS45S16320F-7BLA1备选型号: IS42S32160F-7BLI
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- HTS代码
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- JESD-30代码
- 资历状况
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 端口的数量
- 操作模式
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 待机电流-最大值
- 记忆密度
- 筛选水平
- I/O类型
- 刷新周期
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- RoHS状态
- IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA8 Weeks表面贴装54-TFBGAYESVolatile-40°C~85°C TATray活跃3 (168 Hours)54EAR99PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH8542.32.00.283V~3.6VBOTTOM13.3V0.8mmR-PBGA-B54不合格3.6V3.3V3V512Mb 32M x 161SYNCHRONOUS143MHz5.4nsDRAMParallel32MX163-STATE160.004A536870912 bitAEC-Q100COMMON81921248FP124813mm1.2mm8mmROHS3 Compliant
- IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA8 Weeks表面贴装90-TFBGAYESVolatile-40°C~85°C TATray活跃3 (168 Hours)90EAR99PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH8542.32.00.283V~3.6VBOTTOM13.3V0.8mmR-PBGA-B90不合格3.6V3.3V3V512Mb 16M x 321SYNCHRONOUS143MHz5.4nsDRAMParallel16MX323-STATE320.004A536870912 bit-COMMON81921248FP124813mm1.2mm8mmROHS3 Compliant
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS42S16400J-7BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 54-TFBGA | DRAM Chip SDRAM 64Mbit 4Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA | 对比 | |
| IS42S32160F-7BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 90-TFBGA | IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA | 对比 |


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