IS46DR16160B-3DBLA1备选型号: IS43DR16640B-3DBLI
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- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 刷新周期
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- 辐射硬化
- DRAM 256M, 1.8V, 267Mhz 16Mx16 DDR2 SDRAM8 Weeks表面贴装84-TFBGAYES84Volatile-40°C~85°C TATraye1活跃3 (168 Hours)84EAR99锡银铜AUTO/SELF REFRESH8542.32.00.241.7V~1.9VBOTTOM26011.8V0.8mm101.8V1.9V1.7V256Mb 16M x 161SYNCHRONOUS120mA333MHz450psDRAMParallel16b16MX161615ns12.5mm1.2mmROHS3 Compliant------------
- DRAM 1G (64Mx16) 333MHz 1.8v DDR2 SDRAM8 Weeks表面贴装84-TFBGA-84Volatile-40°C~85°C TATray-活跃3 (168 Hours)84EAR99-AUTO/SELF REFRESH8542.32.00.321.7V~1.9VBOTTOM-11.8V0.8mm-1.8V1.9V1.7V1Gb 64M x 161--333MHz450psDRAMParallel16b64MX161615ns12.5mm1.2mmROHS3 CompliantCopper, Silver, Tin表面贴装220mA3-STATE16b1 Gb0.015ACOMMON81924848无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS43DR16320C-3DBI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 84-TFBGA | DRAM 512Mb, 1.8V, 333MHz 32M x 16 DDR2 | 对比 | |
| IS43DR16160B-3DBL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 84-TFBGA | DRAM 256Mb, 1.8V, 333MHz 16Mx16 DDR2 SDRAM | 对比 |


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