ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16640B-3DBLI
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IS43DR16640B-3DBLI
1266-IS43DR16640B-3DBLI
存储器
84-TFBGA
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DRAM 1G (64Mx16) 333MHz 1.8v DDR2 SDRAM
--最小包装量--
IS43DR16640B-3DBLI详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16640B-3DBLI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Copper, Silver, Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
84-TFBGA
引脚数
84
Memory Types
Volatile
Usage Level
Industrial grade
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
84
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.32
电压 - 供电
1.7V~1.9V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
0.8mm
工作电源电压
1.8V
电源电压-最大值(Vsup)
1.9V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
1Gb 64M x 16
端口的数量
1
电源电流
220mA
时钟频率
333MHz
访问时间
450ps
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
16b
组织结构
64MX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
地址总线宽度
16b
密度
1 Gb
待机电流-最大值
0.015A
I/O类型
COMMON
刷新周期
8192
顺序突发长度
48
交错突发长度
48
长度
12.5mm
座位高度(最大)
1.2mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IS43DR16640B-3DBLI拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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