IS46LR32160C-6BLA2备选型号: IS42VM32800K-75BLI
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 资历状况
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 端口的数量
- 操作模式
- 最大电源电流
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 数据总线宽度
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 待机电流-最大值
- 记忆密度
- 筛选水平
- I/O类型
- 刷新周期
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- 长度
- 座位高度(最大)
- RoHS状态
- 底架
- 电源电流
- 地址总线宽度
- 密度
- 无铅
- DRAM 512M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR SDRAM14 Weeks表面贴装90-TFBGAYES90Volatile-40°C~105°C TATray活跃3 (168 Hours)90AUTO/SELF REFRESH1.7V~1.95VBOTTOM11.8V0.8mm不合格1.8V1.95V1.7V512Mb 16M x 321SYNCHRONOUS130mA166MHz5.5nsDRAMParallel32b16MX323-STATE3212ns0.00001A536870912 bitAEC-Q100COMMON8192248162481613mm1.2mmROHS3 Compliant-----
- DRAM 256M, 1.8V, 133Mhz 8Mx32 Mobile SDR12 Weeks表面贴装90-TFBGA-90Volatile-40°C~85°C TATray活跃3 (168 Hours)90PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH1.7V~1.95VBOTTOM11.8V0.8mm不合格1.8V1.95V1.7V256Mb 8M x 321SYNCHRONOUS-133MHz6nsDRAMParallel32b8MX323-STATE32-0.0003A--COMMON4096484813mm1.2mmROHS3 Compliant表面贴装120mA12b2 Gb无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS43LR32160C-6BL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 90-TFBGA | DRAM 512M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR | 对比 | |
| IS43LR32160C-6BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 90-TFBGA | DRAM 512M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR | 对比 |


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