ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32160C-6BL
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IS43LR32160C-6BL
1266-IS43LR32160C-6BL
存储器
90-TFBGA
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DRAM 512M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR
--最小包装量--
IS43LR32160C-6BL详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32160C-6BL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
14 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
90-TFBGA
表面安装
YES
引脚数
90
Memory Types
Volatile
Usage Level
Commercial grade
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Tray
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
90
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
电压 - 供电
1.7V~1.95V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
0.8mm
资历状况
不合格
工作电源电压
1.8V
电源电压-最大值(Vsup)
1.95V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
512Mb 16M x 32
端口的数量
1
电源电流
130mA
操作模式
SYNCHRONOUS
最大电源电流
60mA
时钟频率
166MHz
访问时间
5.5ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
32b
组织结构
16MX32
输出特性
3-STATE
内存宽度
32
写入周期时间 - 字符、页面
12ns
地址总线宽度
15b
密度
512 Mb
待机电流-最大值
0.00001A
I/O类型
COMMON
刷新周期
8192
顺序突发长度
24816
交错突发长度
24816
长度
13mm
座位高度(最大)
1.2mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IS43LR32160C-6BL拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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