IS43LR32160C-6BL
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32160C-6BL

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型号

IS43LR32160C-6BL

utmel 编号

1266-IS43LR32160C-6BL

商品类别

存储器

封装

90-TFBGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DRAM 512M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR

起订量

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IS43LR32160C-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc DRAM 512M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR

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IS43LR32160C-6BL详情

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32160C-6BL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    14 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    90-TFBGA

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    90

  • Memory Types

    Volatile

  • Usage Level

    Commercial grade

  • 操作温度

    0°C~70°C TA

  • 包装

    Tray

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    90

  • 附加功能

    AUTO/SELF REFRESH

  • 电压 - 供电

    1.7V~1.95V

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    1.8V

  • 端子间距

    0.8mm

  • 资历状况

    不合格

  • 工作电源电压

    1.8V

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    1.95V

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    1.7V

  • 内存大小

    512Mb 16M x 32

  • 端口的数量

    1

  • 电源电流

    130mA

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 最大电源电流

    60mA

  • 时钟频率

    166MHz

  • 访问时间

    5.5ns

  • 内存格式

    DRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 数据总线宽度

    32b

  • 组织结构

    16MX32

  • 输出特性

    3-STATE

  • 内存宽度

    32

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    12ns

  • 地址总线宽度

    15b

  • 密度

    512 Mb

  • 待机电流-最大值

    0.00001A

  • I/O类型

    COMMON

  • 刷新周期

    8192

  • 顺序突发长度

    24816

  • 交错突发长度

    24816

  • 长度

    13mm

  • 座位高度(最大)

    1.2mm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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