IS46R16320D-6TLA2备选型号: IS43R86400D-5TL
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- 工厂交货时间
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- 包装/外壳
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- 包装
- JESD-609代码
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- 零件状态
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- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- HTS代码
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 内存大小
- 端口的数量
- 操作模式
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 数据总线宽度
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- 筛选水平
- I/O类型
- 电压 - 供电 (最大值)
- 电压 - 供电 (最小值)
- 刷新周期
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- 长度
- 座位高度(最大)
- RoHS状态
- 底架
- Current - Supply (Nom)
- 电源
- DRAM 512M, 2.5V, 166Mhz 32Mx16 DDR SDRAM10 Weeks表面贴装66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width)YES66Volatile-40°C~105°C TATraye3yes活跃3 (168 Hours)66EAR99哑光锡AUTO/SELF REFRESH8542.32.00.282.5VDUAL26010.65mm40不合格512Mb 32M x 161SYNCHRONOUS166MHz700psDRAMParallel16b32MX163-STATE1615ns15b512 Mb0.025AAEC-Q100COMMON2.7V2.3V819224824822.22mm1.2mmROHS3 Compliant---
- DRAM 512M (64Mx8) 200MHz 2.5v DDR SDRAM8 Weeks表面贴装66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width)-66Volatile0°C~70°C TATraye3yes活跃3 (168 Hours)66EAR99哑光锡AUTO/SELF REFRESH8542.32.00.282.6VDUAL26010.65mm40不合格512Mb 64M x 81SYNCHRONOUS200MHz700psDRAMParallel8b64MX83-STATE815ns15b512 Mb0.025A-COMMON2.7V2.5V819224824822.22mm1.2mmROHS3 Compliant表面贴装430mA2.6V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS46R86400D-6TLA1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width) | DRAM Chip DDR SDRAM 512M-Bit 64Mx8 2.5V 66-Pin TSOP-II | 对比 | |
| IS43R86400D-6TL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width) | DRAM 512M (64Mx8) 166MHz 2.5v DDR SDRAM | 对比 | |
| IS43R86400D-5TL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width) | DRAM 512M (64Mx8) 200MHz 2.5v DDR SDRAM | 对比 |


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