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首页 全部分类 IS49RL36160-093EBLI vs 71V3577S75BQG

IS49RL36160-093EBLI备选型号: 71V3577S75BQG

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  • I/O类型
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  • 顺序突发长度
  • 交错突发长度
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • RoHS状态
  • 底架
  • Current - Supply (Nom)
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 频率
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 温度等级
  • 界面
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 同步/异步
  • 字长
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS49RL36160-093EBLI
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    DRAM RLDRAM3 Memory, 576M Common I/O, 1066Mhz
    14 Weeks
    表面贴装
    168-LBGA
    YES
    168
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    活跃
    3 (168 Hours)
    168
    EAR99
    自动刷新
    8542.32.00.32
    1.35V
    BOTTOM
    1
    1mm
    1.215A
    不合格
    1.35V
    576Mb 16M x 36
    1
    SYNCHRONOUS
    1066MHz
    8ns
    DRAM
    Parallel
    36b
    16MX36
    3-STATE
    36
    0.125A
    603979776 bit
    1.066GHz
    COMMON
    1.42V
    1.28V
    248
    248
    13.5mm
    1.2mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
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    -
    -
    -
  • Integrated Device Technology (IDT)
    71V3577S75BQG
    Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM Chip Sync Single 3.3V 4.5M-Bit 128K x 36 7.5ns 165-Pin FBGA Tube/Tray
    11 Weeks
    -
    FBGA
    -
    165
    117MHz
    -
    Bulk
    活跃
    3 (168 Hours)
    165
    -
    流线型结构
    -
    3.3V
    BOTTOM
    1
    -
    -
    -
    -
    512kB
    1
    -
    -
    7.5 ns
    -
    -
    -
    -
    3-STATE
    -
    0.03A
    -
    -
    COMMON
    3.465V
    3.135V
    -
    -
    15mm
    -
    符合RoHS标准
    表面贴装
    255mA
    2005
    e1
    yes
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    70°C
    0°C
    BALL
    260
    117MHz
    30
    COMMERCIAL
    Parallel
    17b
    4.5 Mb
    Synchronous
    36b
    13mm
    1.2mm
    无
    无铅
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