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首页 全部分类 IS61C64AL-10JLI vs 7164S20YG

IS61C64AL-10JLI备选型号: 7164S20YG

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  • 端子表面处理
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 底架
  • 已出版
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 终端形式
  • 温度等级
  • 界面
  • 访问时间
  • 电压 - 供电 （最大值）
  • 电压 - 供电 （最小值）
  • 长度
  • 器件厚度
  • 无铅
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS61C64AL-10JLI
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    SRAM Chip ASynchronous Single 5 Volt 64K-bit 8K x 8 10ns 28-Pin SOJ
    8 Weeks
    表面贴装
    28-BSOJ (0.300, 7.62mm Width)
    YES
    28
    Volatile
    50mA
    -40°C~85°C TA
    Tray
    e3
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    28
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    5V
    DUAL
    260
    1
    40
    5V
    64Kb 8K x 8
    1
    SRAM
    Parallel
    8KX8
    3-STATE
    10ns
    13b
    64 kb
    COMMON
    Asynchronous
    8b
    2V
    3.56mm
    7.62mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Integrated Device Technology (IDT)
    7164S20YG
    Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM Chip Async Single 5V 64K-Bit 8K x 8 20ns 28-Pin SOJ Tube
    7 Weeks
    -
    -
    -
    28
    RAM, SDR, SRAM - Asynchronous
    100mA
    -
    -
    e3
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    28
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    5V
    DUAL
    260
    1
    -
    5V
    8kB
    1
    -
    -
    8KX8
    3-STATE
    -
    13b
    64 kb
    COMMON
    Asynchronous
    8b
    -
    3.556mm
    7.6mm
    无
    符合RoHS标准
    表面贴装
    2009
    70°C
    0°C
    J BEND
    COMMERCIAL
    Parallel
    20 ns
    5.5V
    4.5V
    17.9mm
    2.67mm
    无铅
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