IS61DDB21M18A-300M3L备选型号: IS61DDB41M36A-300M3LI
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- HTS代码
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 电源
- 内存大小
- 时钟频率
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 待机电流-最大值
- 记忆密度
- 访问时间(最大)
- I/O类型
- 待机电压-最小值
- 电压 - 供电 (最大值)
- 电压 - 供电 (最小值)
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- RoHS状态
- 访问时间
- SRAM 18Mb 300Mhz 1Mx18 DDR-II Sync SRAM12 Weeks表面贴装165-LBGAYES165Volatile0°C~70°C TATraye1yes活跃3 (168 Hours)1653A991.B.2.A锡银铜流水线结构8542.32.00.411.8VBOTTOM26011mm40不合格1.5/1.81.8V18Mb 1M x 18300MHzSRAMParallel1MX183-STATE180.28A18874368 bit0.45 nsCOMMON1.7V1.89V1.71V17mm1.4mm15mmROHS3 Compliant-
- SRAM 36Mb 300Mhz 1Mx36 DDR II Sync SRAM-表面贴装165-LBGAYES165Volatile-40°C~85°C TATray--Discontinued3 (168 Hours)1653A991.B.2.A-流水线结构8542.32.00.411.8VBOTTOM未说明11mm未说明--36Mb 1M x 36300MHzSRAMParallel1MX36-36-37748736 bit---1.89V1.71V17mm1.4mm15mmROHS3 Compliant8.4ns
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| CY7C1312KV18-300BZXI | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 165-LBGA | IC SRAM 18MBIT 300MHZ 165FBGA | 对比 | |
| CY7C1911KV18-300BZXC | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 165-LBGA | IC SRAM 18MBIT 300MHZ 165FBGA | 对比 | |
| IS61DDB41M36A-300M3LI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 165-LBGA | SRAM 36Mb 300Mhz 1Mx36 DDR II Sync SRAM | 对比 |


哦! 它是空的。