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首页 全部分类 IS61DDB21M36-250M3 vs CY7C1460AV25-200BZXI

IS61DDB21M36-250M3备选型号: CY7C1460AV25-200BZXI

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  • 型号:
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  • 描述:
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 功能数量
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  • 端口的数量
  • 时钟频率
  • 访问时间
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  • 内存宽度
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  • I/O类型
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 底架
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  • 系列
  • 已出版
  • ECCN 代码
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 端子间距
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 组织结构
  • 同步/异步
  • 字长
  • 待机电压-最小值
  • 电压 - 供电 （最大值）
  • 电压 - 供电 （最小值）
  • 长度
  • 无铅
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS61DDB21M36-250M3
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA
    表面贴装
    165-LBGA
    YES
    165
    Volatile
    0°C~70°C TA
    Tray
    e0
    no
    Discontinued
    2 (1 Year)
    165
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    流水线结构
    1.8V
    BOTTOM
    1
    36Mb 1M x 36
    1
    250MHz
    4 ns
    SRAM
    Parallel
    3-STATE
    36
    20b
    36 Mb
    0.2A
    COMMON
    无
    Non-RoHS Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Cypress Semiconductor Corp
    CY7C1460AV25-200BZXI
    Cypress Semiconductor Corp
    IC SRAM 36MBIT 200MHZ 165FBGA
    表面贴装
    165-LBGA
    -
    165
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    e1
    yes
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    165
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    流水线结构
    2.5V
    BOTTOM
    1
    36Mb 1M x 36
    4
    200MHz
    3.2ns
    SRAM
    Parallel
    3-STATE
    36
    20b
    36 Mb
    0.12A
    COMMON
    无
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    385mA
    NoBL™
    2004
    3A991.B.2.A
    260
    1mm
    20
    CY7C1460
    1MX36
    Synchronous
    36b
    2.38V
    2.625V
    2.375V
    17mm
    无铅
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