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首页 全部分类 IS61DDB21M36-250M3 vs IS61DDB22M18-250M3

IS61DDB21M36-250M3备选型号: IS61DDB22M18-250M3

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  • 安装类型
  • 包装/外壳
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  • 引脚数
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  • 包装
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 功能数量
  • 内存大小
  • 端口的数量
  • 时钟频率
  • 访问时间
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 输出特性
  • 内存宽度
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  • 密度
  • 待机电流-最大值
  • I/O类型
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS61DDB21M36-250M3
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA
    表面贴装
    165-LBGA
    YES
    165
    Volatile
    0°C~70°C TA
    Tray
    e0
    no
    Discontinued
    2 (1 Year)
    165
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    流水线结构
    1.8V
    BOTTOM
    1
    36Mb 1M x 36
    1
    250MHz
    4 ns
    SRAM
    Parallel
    3-STATE
    36
    20b
    36 Mb
    0.2A
    COMMON
    无
    Non-RoHS Compliant
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS61DDB22M18-250M3
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA
    表面贴装
    165-LBGA
    YES
    165
    Volatile
    0°C~70°C TA
    Tray
    e0
    no
    Discontinued
    2 (1 Year)
    165
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    流水线结构
    1.8V
    BOTTOM
    1
    36Mb 2M x 18
    1
    250MHz
    4 ns
    SRAM
    Parallel
    3-STATE
    18
    21b
    36 Mb
    0.2A
    COMMON
    无
    Non-RoHS Compliant
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