IS61DDB41M36-250M3备选型号: 71V35761SA200BQG
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- 电压 - 供电
- 端子位置
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- 温度等级
- 界面
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- 密度
- 同步/异步
- 字长
- 器件厚度
- 辐射硬化
- 无铅
- IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA表面贴装165-LBGAYES165Volatile0°C~70°C TATraye0noDiscontinued2 (1 Year)1653A991.B.2.ATin/Lead (Sn/Pb)流水线结构8542.32.00.411.71V~1.89VBOTTOM未说明11.8V1mm未说明165不合格1.89V1.5/1.81.8V1.71V36Mb 1M x 36250MHz5.85nsSRAMParallel1MX363-STATE360.2A37748736 bitCOMMON1.71V17mm1.7mm15mmNon-RoHS Compliant---------------------
- SRAM Chip Sync Single 3.3V 4.5M-Bit 128K x 36 3.1ns 165-Pin FBGA-FBGA-165200MHz--e1yes活跃3 (168 Hours)165-Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)流水线结构--BOTTOM26013.3V-30165----512kB-3.1 ns---3-STATE-0.03A-COMMON-15mm-13mm符合RoHS标准11 Weeks表面贴装200970°C0°CBALL200MHz3.3VCOMMERCIALParallel3.465V3.135V1360mA17b4.5 MbSynchronous36b1.2mm无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS61QDB22M18-250M3 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 165-LBGA | IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA | 对比 | |
| IS61DDB21M36-250M3 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 165-LBGA | IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA | 对比 | |
| IS61QDB21M36-250M3 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 165-LBGA | IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA | 对比 |



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