ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB41M36-250M3

安装类型

表面贴装

包装/外壳

165-LBGA

表面安装

YES

引脚数

165

Memory Types

Volatile

操作温度

0°C~70°C TA

包装

Tray

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

2 (1 Year)

终止次数

165

ECCN 代码

3A991.B.2.A

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

流水线结构

HTS代码

8542.32.00.41

电压 - 供电

1.71V~1.89V

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

电源电压

1.8V

端子间距

1mm

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

165

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

1.89V

电源

1.5/1.81.8V

电源电压-最小值(Vsup)

1.71V

内存大小

36Mb 1M x 36

时钟频率

250MHz

访问时间

5.85ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

1MX36

输出特性

3-STATE

内存宽度

36

待机电流-最大值

0.2A

记忆密度

37748736 bit

I/O类型

COMMON

待机电压-最小值

1.71V

长度

17mm

座位高度(最大)

1.7mm

宽度

15mm

RoHS状态

Non-RoHS Compliant