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首页 全部分类 IS61DDP2B24M18A-400M3L vs CY7C1143KV18-400BZI

IS61DDP2B24M18A-400M3L备选型号: CY7C1143KV18-400BZI

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  • ECCN 代码
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  • HTS代码
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
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  • 功能数量
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  • 内存大小
  • 时钟频率
  • 内存格式
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  • 座位高度(最大)
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 底架
  • Current - Supply (Nom)
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 基本部件号
  • 端口的数量
  • 访问时间
  • 输出特性
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • I/O类型
  • 同步/异步
  • 字长
  • 待机电压-最小值
  • 辐射硬化
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS61DDP2B24M18A-400M3L
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    SRAM 72Mb 400Mhz 4Mx18 DDR IIP Sync SRAM
    12 Weeks
    表面贴装
    165-LBGA
    YES
    165
    Volatile
    0°C~70°C TA
    Tray
    活跃
    3 (168 Hours)
    165
    3A991.B.2.A
    流水线结构
    8542.32.00.41
    1.8V
    BOTTOM
    未说明
    1
    1mm
    未说明
    72Mb 4M x 18
    400MHz
    SRAM
    Parallel
    4MX18
    18
    75497472 bit
    0.45 ns
    1.89V
    1.71V
    17mm
    1.4mm
    15mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Cypress Semiconductor Corp
    CY7C1143KV18-400BZI
    Cypress Semiconductor Corp
    IC SRAM 18MBIT 400MHZ 165FBGA
    13 Weeks
    表面贴装
    165-LBGA
    -
    165
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    活跃
    3 (168 Hours)
    165
    -
    突发架构
    -
    1.8V
    BOTTOM
    220
    1
    1mm
    30
    18Mb 1M x 18
    400MHz
    SRAM
    Parallel
    1MX18
    18
    -
    -
    1.9V
    1.7V
    15mm
    1.4mm
    -
    Non-RoHS Compliant
    表面贴装
    610mA
    2003
    e0
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    CY7C1143
    2
    450 ps
    3-STATE
    18b
    18 Mb
    SEPARATE
    Synchronous
    18b
    1.7V
    无
  • 添加型号
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