IS61LPD51236A-250B3LI备选型号: IS61VPS51236A-250B3L
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- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- Current - Supply (Nom)
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 内存大小
- 端口的数量
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 同步/异步
- 字长
- 电压 - 供电 (最小值)
- 长度
- 座位高度(最大)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 电源
- 电压 - 供电 (最大值)
- IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA12 Weeks表面贴装165-TBGAYES165Volatile500mA-40°C~85°C TATraye1yes活跃3 (168 Hours)1653A991.B.2.ATin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)流水线结构3.3VBOTTOM26011mm1018Mb 512K x 364250MHz2.6nsSRAMParallel512KX363-STATE3619b18 Mb0.075ACOMMONSynchronous36b3.135V15mm1.2mm无ROHS3 Compliant--
- SRAM 18Mb (512Kx36) 2.5v Sync SRAM 2.5v-表面贴装165-TBGAYES165Volatile450mA0°C~70°C TATraye3yesObsolete3 (168 Hours)165-哑光锡-2.5VBOTTOM22511mm-18Mb 512K x 364250MHz2.6nsSRAMParallel512KX363-STATE3619b18 Mb0.11ACOMMONSynchronous36b2.375V15mm1.2mm无符合RoHS标准2.5/3.33.3V2.625V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CY7C1370D-200BGXC | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 119-BGA | IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA | 对比 |
| IS61VPS51236A-250B3L | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 165-TBGA | SRAM 18Mb (512Kx36) 2.5v Sync SRAM 2.5v | 对比 | |
| IS61LPS51236A-250B3LI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 165-TBGA | IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA | 对比 |



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