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IS61LPS12836A-200B2LI备选型号: CY7C1347G-133BGXC
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- 端子表面处理
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- 电压 - 供电
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- 已出版
- 基本部件号
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- 无铅
IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA表面贴装119-BBGAYES119Volatile210mA-40°C~85°C TATraye1yes活跃2 (1 Year)1193A991.B.2.ATin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)流水线结构3.3VBOTTOM26011.27mm404.5Mb 128K x 364200MHz3.1nsSRAMParallel128KX363-STATE3617b4.5 Mb0.075ACOMMONSynchronous36b3.135V22mm无ROHS3 Compliant------ IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA表面贴装119-BGA-119Volatile225mA0°C~70°C TATraye1yesObsolete3 (168 Hours)1193A991.B.2.ATin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)流水线结构3.3VBOTTOM26011.27mm204.5Mb 128K x 364133MHz4nsSRAMParallel128KX363-STATE3617b4 Mb-COMMONSynchronous36b3.135V22mm无ROHS3 Compliant表面贴装2004CY7C13473.63V无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | 71V35761SA200BGG | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | BGA | SRAM Chip Sync Single 3.3V 4.5M-Bit 128K x 36 3.1ns 119-Pin BGA | 对比 |
 | 71V25761S200BG | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | BGA | SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM | 对比 |
 | 71V35761S200BGG | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | BGA | SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM | 对比 |
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