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IS61LPS12836A-200B2LI备选型号: 71V25761S200BG
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- 描述:
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- Current - Supply (Nom)
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 功能数量
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 内存大小
- 端口的数量
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 同步/异步
- 字长
- 电压 - 供电 （最小值）
- 长度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 已出版
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 终端形式
- 频率
- 资历状况
- 温度等级
- 界面
- 电压 - 供电 （最大值）
- 座位高度(最大)
- 宽度
- 器件厚度
- 无铅
IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA表面贴装119-BBGAYES119Volatile210mA-40°C~85°C TATraye1yes活跃2 (1 Year)1193A991.B.2.ATin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)流水线结构3.3VBOTTOM26011.27mm404.5Mb 128K x 364200MHz3.1nsSRAMParallel128KX363-STATE3617b4.5 Mb0.075ACOMMONSynchronous36b3.135V22mm无ROHS3 Compliant---------------
SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM-BGA-119200MHz360mA--e0no-3 (168 Hours)119-Tin/Lead (Sn63Pb37)流水线结构3.3VBOTTOM2251-20512kB1-3.1 ns---3-STATE-17b4.5 Mb0.03ACOMMONSynchronous36b3.135V14mm-符合RoHS标准7 Weeks表面贴装200970°C0°CBALL200MHz不合格COMMERCIALParallel3.465V2.36mm22mm2.15mm含铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| CY7C1347G-133BGXC | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 119-BGA | IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA | 对比 |
| 71V25761S200BG | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | BGA | SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM | 对比 |
 | 71V35761S200BGG | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | BGA | SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM | 对比 |
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