IS61LV6416-10TL备选型号: 71V016SA10PHG

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • 电源
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  • 内存大小
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 组织结构
  • 输出特性
  • 内存宽度
  • 写入周期时间 - 字符、页面
  • 待机电流-最大值
  • 记忆密度
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  • 待机电压-最小值
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 已出版
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 终端形式
  • 工作电源电压
  • 温度等级
  • 界面
  • 最大电源电压
  • 最小电源电压
  • 端口的数量
  • 电源电流
  • 访问时间
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 同步/异步
  • 字长
  • 器件厚度
  • 辐射硬化
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II
    6 Weeks
    表面贴装
    44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
    YES
    44
    Volatile
    0°C~70°C TA
    Tray
    e3
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    44
    3A991.B.2.B
    Matte Tin (Sn) - annealed
    8542.32.00.41
    3.135V~3.6V
    DUAL
    未说明
    1
    3.3V
    0.8mm
    未说明
    44
    不合格
    3.63V
    3.3V
    3.135V
    1Mb 64K x 16
    SRAM
    Parallel
    64KX16
    3-STATE
    16
    10ns
    0.005A
    1048576 bit
    10 ns
    COMMON
    3.14V
    18.415mm
    1.2mm
    10.16mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM 64Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V STATIC RAM
    12 Weeks
    -
    TSOP
    -
    44
    RAM, SDR, SRAM - Asynchronous
    -
    -
    e3
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    44
    -
    Matte Tin (Sn) - annealed
    -
    -
    DUAL
    260
    1
    3.3V
    0.8mm
    30
    44
    -
    -
    -
    -
    128kB
    -
    -
    -
    3-STATE
    -
    -
    -
    -
    -
    COMMON
    -
    18.41mm
    -
    10.16mm
    符合RoHS标准
    无铅
    表面贴装
    2011
    70°C
    0°C
    鸥翼
    3.3V
    COMMERCIAL
    Parallel
    3.6V
    3.15V
    1
    160mA
    10 ns
    16b
    1 Mb
    Asynchronous
    16b
    1mm
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