IS61NVF51236-6.5TQL-TR备选型号: IS61VF51236A-7.5TQLI
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- 地址总线宽度
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- 最高频率
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- RoHS状态
- 表面安装
- JESD-609代码
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- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
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- 电源电压-最小值(Vsup)
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
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- I/O类型
- 待机电压-最小值
- 长度
- 座位高度(最大)
- 辐射硬化
- SRAM 18Mb (512Kx36) 6.5ns Sync SRAM 2.5v表面贴装100-LQFP100100-TQFP (14x20)Volatile0°C~70°C TATape & Reel (TR)Obsolete3 (168 Hours)70°C0°C2.375V~2.625V133MHz2.5VParallel2.625V2.375V18Mb 512K x 364450mA133MHz6.5nsSRAMParallel19b18 Mb133MHzSynchronous36b符合RoHS标准-------------------------
- IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP表面贴装100-LQFP100-Volatile-40°C~85°C TATrayObsolete2 (1 Year)--2.375V~2.625V-2.5V---18Mb 512K x 364250mA117MHz7.5nsSRAMParallel19b18 Mb-Synchronous36b符合RoHS标准YESe3yes1003A991.B.2.AMatte Tin (Sn) - annealedFLOW-THROUGH ARCHITECTUREQUAD26012.5V0.65mm401002.625V2.375V512KX363-STATE360.075ACOMMON2.38V20mm1.6mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS61VF51236A-7.5TQLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 100-LQFP | IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP | 对比 | |
| IS61VF51236A-7.5TQLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 100-LQFP | IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP | 对比 | |
![]() | 71T75902S75PFGI8 | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | TQFP | SRAM Chip Sync Single 2.5V 18M-Bit 1M x 18 7.5ns 100-Pin TQFP T/R | 对比 |



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