IS61VPS204836B-250B3L备选型号: IS61VPS51236B-250B3LI
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 电源
- 内存大小
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 记忆密度
- I/O类型
- 待机电压-最小值
- 电压 - 供电 (最大值)
- 电压 - 供电 (最小值)
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- RoHS状态
- IC SRAM 72M PARALLEL 165TFBGA12 Weeks表面贴装165-TBGAYES165Volatile0°C~70°C TATraye1活跃3 (168 Hours)1653A991.B.2.ATin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)8542.32.00.412.5VBOTTOM26011mm10不合格2.5V72Mb 2M x 36250MHz2.8nsSRAMParallel2MX363-STATE3675497472 bitCOMMON2.38V2.625V2.375V15mm1.2mm13mmROHS3 Compliant
- IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA12 Weeks表面贴装165-TBGAYES165Volatile-40°C~85°C TATray-活跃3 (168 Hours)165---2.5VBOTTOM未说明11mm未说明--18Mb 512K x 36250MHz2.6nsSRAMParallel512KX36-3618874368 bit--2.625V2.375V15mm1.2mm13mmROHS3 Compliant
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS61VPS51236B-250B3LI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 165-TBGA | IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA | 对比 | |
![]() | MT49H16M36BM-33:B | Micron Technology Inc. | 存储器 | 144-TFBGA | DRAM Chip RLDRAM 576M-Bit 16Mx36 1.8V 144-Pin mBGA Tray | 对比 |
| IS61NLP204818B-250B3L | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 165-TBGA | IC SRAM 36M PARALLEL 165TFBGA | 对比 |



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