IS61WV10248BLL-10MLI备选型号: CY62157EV30LL-45BVXA
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- Current - Supply (Nom)
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 内存大小
- 端口的数量
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 地址总线宽度
- 密度
- 访问时间(最大)
- I/O类型
- 同步/异步
- 字长
- 电压 - 供电 (最大值)
- 长度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 底架
- 系列
- 已出版
- 基本部件号
- 待机电流-最大值
- 电压 - 供电 (最小值)
- 无铅
- IC SRAM 8M PARALLEL 48MINIBGA8 Weeks表面贴装48-TFBGAYES48Volatile100mA-40°C~85°C TATraye1yes活跃2 (1 Year)48Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)3VBOTTOM26010.75mm408Mb 1M x 82SRAMParallel1MX83-STATE810ns20b8 Mb10 nsCOMMONAsynchronous8b3.6V11mm无ROHS3 Compliant-------
- IC SRAM 8MBIT 45NS 48VFBGA9 Weeks表面贴装48-VFBGA-48Volatile25mA-40°C~85°C TATraye1-活跃3 (168 Hours)48Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)3VBOTTOM26010.75mm308Mb 512K x 161SRAMParallel-3-STATE1645ns19b8 Mb45 nsCOMMONAsynchronous16b3.6V8mm无ROHS3 Compliant表面贴装MoBL®2001CY621570.000005A2.2V无铅
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS62WV10248BLL-55BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 48-TFBGA | SRAM Chip Async Single 3.3V 8M-bit 1M x 8 55ns 48-Pin Mini-BGA | 对比 | |
| CY62157EV30LL-45BVXA | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 48-VFBGA | IC SRAM 8MBIT 45NS 48VFBGA | 对比 | |
| AS7C34098A-10BIN | Alliance Memory, Inc. | 存储器 | 48-TFBGA | SRAM 4M, 3.3V, 10ns, FAST 256K x 16 Asyn SRAM | 对比 |


哦! 它是空的。