IS61WV6416DBLL-10BLI备选型号: IS61LV6416-10BLI
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- 引脚数量
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- 输出特性
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- 同步/异步
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- 待机电压-最小值
- 长度
- RoHS状态
- 底架
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 工作电源电压
- 辐射硬化
- SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 1M-bit 64K x 16 10ns 48-Pin Mini-FBGA8 Weeks表面贴装48-TFBGAYES48Volatile-40°C~85°C TATray活跃3 (168 Hours)482.4V~3.6VBOTTOM13V0.75mm48不合格3.6V2.5/3.3V2.4V1Mb 64K x 16155mASRAMParallel3-STATE1610ns16b1 Mb0.000055ACOMMONAsynchronous16b2V8mmROHS3 Compliant--------
- IC SRAM 1M PARALLEL 48MINIBGA-表面贴装48-TFBGA-48Volatile-40°C~85°C TATray活跃2 (1 Year)483.135V~3.6VBOTTOM13.3V0.75mm48-3.63V--1Mb 64K x 161130mASRAMParallel3-STATE1610ns16b1 Mb-COMMONAsynchronous16b-8mmROHS3 Compliant表面贴装e1yesTin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)260403.3V无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS62WV6416BLL-55BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 48-TFBGA | IC SRAM 1M PARALLEL 48MINIBGA | 对比 | |
| IS62WV6416DBLL-45BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 48-TFBGA | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 1M-bit 64K x 16 45ns 48-Pin TFBGA | 对比 | |
![]() | AS6C1016-55BIN | Alliance Memory, Inc. | 存储器 | 48-TFBGA | SRAM Chip Async Single 3V 1M-Bit 64K x 16 55ns 48-Pin TFBGA | 对比 |



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