ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV6416-10BLI
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IS61LV6416-10BLI
1266-IS61LV6416-10BLI
存储器
48-TFBGA
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IC SRAM 1M PARALLEL 48MINIBGA
--最小包装量--
IS61LV6416-10BLI详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV6416-10BLI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
48-TFBGA
引脚数
48
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
2 (1 Year)
终止次数
48
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
电压 - 供电
3.135V~3.6V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
3.3V
端子间距
0.75mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
48
工作电源电压
3.3V
电源电压-最大值(Vsup)
3.63V
内存大小
1Mb 64K x 16
端口的数量
1
电源电流
130mA
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
10ns
地址总线宽度
16b
密度
1 Mb
I/O类型
COMMON
同步/异步
Asynchronous
字长
16b
长度
8mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IS61LV6416-10BLI拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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