IS62WV102416BLL-25MLI备选型号: IS61WV20488BLL-10MLI
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- Current - Supply (Nom)
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 电源
- 内存大小
- 端口的数量
- 内存格式
- 内存接口
- 输出特性
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 地址总线宽度
- 密度
- 访问时间(最大)
- I/O类型
- 同步/异步
- 字长
- 待机电压-最小值
- 电压 - 供电 (最大值)
- 电压 - 供电 (最小值)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 组织结构
- 待机电流-最大值
- 达到SVHC
- IC SRAM 16M PARALLEL 48MINIBGA8 Weeks表面贴装48-TFBGAYES48Volatile30mA-40°C~85°C TATraye1yes活跃2 (1 Year)48Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)3.3VBOTTOM26010.75mm402.5/3.3V16Mb 1M x 161SRAMParallel3-STATE1625ns20b16 Mb25 nsCOMMONAsynchronous16b2.4V3.6V2.4V无ROHS3 Compliant---
- INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS61WV20488BLL-10MLI - SRAM, 16MBIT, 10NS, 48BGA8 Weeks表面贴装48-TFBGAYES48Volatile100mA-40°C~85°C TATraye1yes活跃3 (168 Hours)48Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)3VBOTTOM26010.75mm402.5/3.3V16Mb 2M x 81SRAMParallel3-STATE810ns21b16 Mb-COMMONAsynchronous8b-3.6V2.4V无ROHS3 Compliant2MX80.025A无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AS6C1616A-55BIN | Alliance Memory, Inc. | 存储器 | 48-VFBGA | SRAM 16M, 2.7-3.6V, 55ns 1024K x 16 Asyn SRAM | 对比 |
| IS61WV102416BLL-10MLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 48-TFBGA | IC SRAM 16M PARALLEL 48MINIBGA | 对比 | |
| IS64WV102416BLL-10MLA3 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 48-TFBGA | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 16M-Bit 1M x 16 10ns 48-Pin TFBGA | 对比 |



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