IS64WV102416BLL-10MLA3
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV102416BLL-10MLA3

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型号

IS64WV102416BLL-10MLA3

utmel 编号

1266-IS64WV102416BLL-10MLA3

商品类别

存储器

封装

48-TFBGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 16M-Bit 1M x 16 10ns 48-Pin TFBGA

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IS64WV102416BLL-10MLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 16M-Bit 1M x 16 10ns 48-Pin TFBGA

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IS64WV102416BLL-10MLA3详情

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV102416BLL-10MLA3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    10 Weeks

  • 表面安装

    YES

  • 包装/外壳

    48-TFBGA

  • 安装类型

    表面贴装

  • 引脚数

    48

  • Memory Types

    Volatile

  • Usage Level

    Automotive grade

  • 包装

    Tray

  • 操作温度

    -40°C~125°C TA

  • JESD-609代码

    e1

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    48

  • 端子表面处理

    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

  • 电压 - 供电

    2.4V~3.6V

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    3.3V

  • 端子间距

    0.75mm

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    10

  • 引脚数量

    48

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    3.6V

  • 电源

    2.5/3.3V

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    2.4V

  • 内存大小

    16Mb 1M x 16

  • 端口的数量

    1

  • 电源电流

    140mA

  • 内存格式

    SRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 输出特性

    3-STATE

  • 内存宽度

    16

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    10ns

  • 地址总线宽度

    20b

  • 密度

    16 Mb

  • 待机电流-最大值

    0.05A

  • I/O类型

    COMMON

  • 同步/异步

    Asynchronous

  • 字长

    16b

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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右边的3个型号有着和ISSI, Integrated Silicon Solution Inc & IS64WV102416BLL-10MLA3相似的参数规格。

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IS64WV102416BLL-10MLA3拓展信息

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