IS62WV20488BLL-25MLI备选型号: IS61WV102416BLL-10MLI
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- 包装
- JESD-609代码
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- 终止次数
- 端子表面处理
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
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- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 电源
- 内存大小
- 端口的数量
- 内存格式
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- 组织结构
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- 地址总线宽度
- 密度
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- I/O类型
- 同步/异步
- 字长
- 电压 - 供电 (最大值)
- 电压 - 供电 (最小值)
- RoHS状态
- 待机电流-最大值
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- SRAM 16M (2Mx8) 25ns Async SRAM8 Weeks表面贴装48-TFBGAYES48Volatile30mA-40°C~85°C TATraye1yes活跃3 (168 Hours)48Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)3VBOTTOM26010.8mm40不合格2.5/3.3V16Mb 2M x 81SRAMParallel2MX83-STATE825ns21b16 Mb25 nsCOMMONAsynchronous8b3.6V2.4VROHS3 Compliant---
- IC SRAM 16M PARALLEL 48MINIBGA8 Weeks表面贴装48-TFBGAYES48Volatile95mA-40°C~85°C TATraye1yes活跃3 (168 Hours)48Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)3.3VBOTTOM26010.75mm40--16Mb 1M x 161SRAMParallel-3-STATE1610ns20b16 Mb-COMMONAsynchronous16b3.6V2.4VROHS3 Compliant0.02A无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS61WV20488BLL-10MLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 48-TFBGA | INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS61WV20488BLL-10MLI - SRAM, 16MBIT, 10NS, 48BGA | 对比 | |
| IS61WV102416BLL-10MLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 48-TFBGA | IC SRAM 16M PARALLEL 48MINIBGA | 对比 | |
![]() | AS6C1616-70BIN | Alliance Memory, Inc. | 存储器 | 48-LFBGA | SRAM 16M, 3V, 70ns 1024K x 16 Asyn SRAM | 对比 |



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